Кәсіби тұрғыдан алғанда, чипті өндіру процесі өте күрделі және жалықтырады.Дегенмен, IC толық өнеркәсіптік тізбегінен ол негізінен төрт бөлікке бөлінеді: IC дизайны → IC өндірісі → қаптама → тестілеу.
Чиптерді өндіру процесі:
1. Чип дизайны
Чип - көлемі аз, бірақ дәлдігі өте жоғары өнім.Чипті жасау үшін дизайн бірінші бөлік болып табылады.Дизайн EDA құралының және кейбір IP өзектерінің көмегімен өңдеуге қажетті чип дизайнының чип дизайнының көмегін қажет етеді.
Чиптерді өндіру процесі:
1. Чип дизайны
Чип - көлемі аз, бірақ дәлдігі өте жоғары өнім.Чипті жасау үшін дизайн бірінші бөлік болып табылады.Дизайн EDA құралының және кейбір IP өзектерінің көмегімен өңдеуге қажетті чип дизайнының чип дизайнының көмегін қажет етеді.
3. Кремнийді көтеру
Кремний бөлінгеннен кейін қалған материалдардан бас тартылады.Бірнеше қадамнан кейін таза кремний жартылай өткізгіштерді өндіру сапасына жетті.Бұл электронды кремний деп аталады.
4. Кремний құйма құймалар
Тазартудан кейін кремнийді кремний құймаларына құю керек.Электрондық маркалы кремнийдің монокристалы құймаға құйылғаннан кейін салмағы шамамен 100 кг, ал кремнийдің тазалығы 99,9999% жетеді.
5. Файлды өңдеу
Кремний құймасы құйылғаннан кейін бүкіл кремний құймасы кесектерге кесілуі керек, бұл біз әдетте вафли деп атайтын вафли, ол өте жұқа.Кейіннен вафли мінсіз болғанша жылтыратылады, ал беті айна сияқты тегіс болады.
Кремний пластинкаларының диаметрі 8 дюймдік (200 мм) және диаметрі 12 дюймдік (300 мм) болады.Диаметрі неғұрлым үлкен болса, бір чиптің құны соғұрлым төмен болады, бірақ өңдеу қиындығы соғұрлым жоғары болады.
5. Файлды өңдеу
Кремний құймасы құйылғаннан кейін бүкіл кремний құймасы кесектерге кесілуі керек, бұл біз әдетте вафли деп атайтын вафли, ол өте жұқа.Кейіннен вафли мінсіз болғанша жылтыратылады, ал беті айна сияқты тегіс болады.
Кремний пластинкаларының диаметрі 8 дюймдік (200 мм) және диаметрі 12 дюймдік (300 мм) болады.Диаметрі неғұрлым үлкен болса, бір чиптің құны соғұрлым төмен болады, бірақ өңдеу қиындығы соғұрлым жоғары болады.
7. Тұтылу және ионды бүрку
Біріншіден, фоторезисттен тыс экспозицияға ұшыраған кремний оксиді мен кремний нитридін тоттандырып, кристалды түтік арасын оқшаулау үшін кремний қабатын тұндыру керек, содан кейін төменгі кремнийді ашу үшін офорт технологиясын қолдану керек.Содан кейін кремний құрылымына борды немесе фосфорды енгізіңіз, содан кейін басқа транзисторлармен қосылу үшін мысты толтырыңыз, содан кейін құрылым қабатын жасау үшін оған басқа желім қабатын қолданыңыз.Әдетте, чипте тығыз тоғысқан магистральдар сияқты ондаған қабаттар бар.
7. Тұтылу және ионды бүрку
Біріншіден, фоторезисттен тыс экспозицияға ұшыраған кремний оксиді мен кремний нитридін тоттандырып, кристалды түтік арасын оқшаулау үшін кремний қабатын тұндыру керек, содан кейін төменгі кремнийді ашу үшін офорт технологиясын қолдану керек.Содан кейін кремний құрылымына борды немесе фосфорды енгізіңіз, содан кейін басқа транзисторлармен қосылу үшін мысты толтырыңыз, содан кейін құрылым қабатын жасау үшін оған басқа желім қабатын қолданыңыз.Әдетте, чипте тығыз тоғысқан магистральдар сияқты ондаған қабаттар бар.
Жіберу уақыты: 08 шілде 2023 ж